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意法半導體新推出的SLLIMM?-nano智能功率模塊(IPM)引入新的封裝類型，并集成更多元器(qi)件，加快300W以下低功率電機驅動器(qi)研發，簡(jian)化(hua)組裝過(guo)程。

3A和5A 模塊內置當前*********的600V超結MOSFET，最(zui)大限度提升空氣(qi)壓縮機、風(feng)扇、泵(beng)等設備的能效。各(ge)種直列引腳或(huo)(huo)Z形(xing)引腳封裝有助于優化空間占(zhan)用率，確(que)保所需的引腳間距(ju)。內部(bu)開(kai)孔選項讓低價散熱(re)器的安裝更容易。此(ci)外(wai)，發(fa)射極開(kai)路輸出(chu)分開(kai)設計可簡化PCB板單路或(huo)(huo)三(san)路Shunt (分流電阻(zu))電流監(jian)視走線。

每個(ge)IPM模塊都包含由六(liu)支MOSFET組成的(de)(de)三相半橋(qiao)和(he)(he)(he)一(yi)個(ge)高壓柵驅動芯片。新增功能(neng)(neng)有助于(yu)簡化保護(hu)電(dian)路和(he)(he)(he)防錯(cuo)電(dian)路設計，包括一(yi)個(ge)用于(yu)檢測電(dian)流的(de)(de)未使用的(de)(de)運放(fang)、用于(yu)高速錯(cuo)誤保護(hu)電(dian)路的(de)(de)比較器和(he)(he)(he)用于(yu)監(jian)視溫度(du)的(de)(de)可(ke)選的(de)(de)NTC (負溫度(du)系數)熱敏電(dian)阻(zu)，還集成一(yi)個(ge)自舉二極管，以降低(di)物料清單(BOM)成本，簡化電(dian)路板布局(ju)設計。智能(neng)(neng)關(guan)斷(duan)電(dian)路可(ke)保護(hu)功率開關(guan)管，欠壓鎖保護(hu)(UVLO)預防低(di)Vcc或Vboot電(dian)壓引(yin)起的(de)(de)功能(neng)(neng)失效。

超結MOSFET在(zai)25°C時通態(tai)電阻只有(you)1.0?，最大 1.6? ，低(di)電容和低(di)柵電荷可最大限度降(jiang)低(di)通態(tai)損(sun)耗(hao)和開(kai)關損(sun)耗(hao)，從而提(ti)升20kHz以下(xia)硬開(kai)關電路的能效(xiao)，包括各種工業電機驅(qu)動器，準許低(di)功率(lv)應用無需使用散熱(re)器。此外(wai)，優化的開(kai)關di/dt和dV/dt上(shang)升速率(lv)確保EMI干擾處于一個較低(di)的級別(bie)，可以進一步簡化電路的設計(ji)布局。

新模(mo)塊(kuai)的最高額定結溫是150°C，取(qu)得了UL 1557認(ren)證(zheng)，電絕緣級別高達1500Vrms/min。